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抗静电能力低的器件如何使用

2014-09-10 09:01      点击:

    对于器件的用户来讲,抗静电能力高的器件总比抗静电能力低的器件受欢迎。但随着超大规模集成电路的发展,采用了按比例缩小的设计,以实现体积小、重量轻、功耗小、集成度高,解决器件的高性能、高可靠、低投入、高产出、快周转等方面的优势。在制造工艺中普遍采用了浅结、薄氧化层等一系列的微细加工技术,器件的抗静电能力越来越差。

  器件的抗静电能力又因器件的设计、制造工艺而有所不同。比如,CMOS,与PMOS、NMOS器件比较,虽然抗静电能力在同一数量级,但CMOS器件比PMOS、NMOS器件的抗静电能力略高几百伏。

  用户提出抗静电能力高的器件要求,在某种程度上来说,不太现实。第一,抗静电能力高的器件在设计、制造工艺中比较复杂,成本较高。第二,抗静电能力高的器件价格昂贵,整机成本上升。

  鉴于以上情况,建议设计整机时,在抗静电能力低的敏感器件中的输入/输出端加一个防雷击、防过压、防静电、抗干扰的一种瞬态电压抑制电路(TVS),可有效地提高整机的抗静电能力。瞬态电压抑制电路在通讯、计算机、I/O端口、信号的输入/输出保护等其它高科技领域已获得广泛的应用。

  瞬态电压抑制电路(TVS)是一种高效能的保护器件。当瞬态电压保护二极管受到反向瞬态高能量冲击时,它以1×10-12s量级的速度,将其两极间的高阻抗变成低阻抗。吸收高达数千瓦的浪涌功率,使两极间的电压箝位于一个预定值,有效地保护了电子线路的敏感元件,免受各种浪涌脉冲的损伤。该器件具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、箝位电压易控制、没有损伤极限、体积小等优点,在各个领域已得到广泛的应用。